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Intel 14A工藝至關重要 2025年之後穩定領先

這幾年,Intel以空前的力度推進先進位程工藝,希望以最快的速度反超台積電,重奪領先地位,現在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領先地位。 目前,Intel正在按計劃實現其“四年五個製程節點”的目標,Intel 7工藝、採用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。 其中,Intel 3作為升級版,應用於伺服器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發布,其中前者首次採用純E核設計,最多288個。 Intel 20A和Intel 18A兩個節點正在順利推進中,分別相當於2nm、1.8nm,將繼續採用EUV技術,並應用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。 憑借它們兩個,Intel希望能在2025年重奪製程領先性。 之後,Intel將繼續採用創新技術,推進未來製程節點的開發和製造,以鞏固領先性。 其中一個關鍵點就是High NA EUV技術,而數值孔徑(NA)正是衡量收集和集中光線能力的指標。 通過升級將掩膜上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學系統,High NA EUV光刻技術能夠大幅提高解析度,從而有助於電晶體的進一步微縮。 作為Intel 18A之後的下一個先進位程節點, 為了製造出特徵尺寸更小的電晶體,在集成High NA EUV光刻技術的同時,Intel也在同步開發新的電晶體結構,並改進工藝步驟,如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。 此外,Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本,以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。 來源:快科技

第一次高NA EUV Intel 14A工藝密度提升20% 能效提升15%

根據媒體的報導,近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露了Intel 14A製程的相關技術細節。 在不久前舉辦的IFS Direct Connect活動中,Intel分享了其“4年5節點”的工藝路線圖的最新進展,並公布了最後一個節點Intel 18A製程之後的計劃,新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的強化版本。 Intel計劃在Intel 14A才導入High-NA EUV曝光設備,在Intel 18A則僅是發展與學習階段。 近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露,Intel 14A將會比Intel 18A製程技術的能耗效率提升15%,而強化版的的Intel 14A-E則會在Intel 14A基礎上帶來額外的5%能耗提升。 與Intel 18A製程技術相較,Intel 14A製程技術的電晶體密度將會提升20%。 按照Intel的計劃,Intel 14A製程技術最快會在2026年量產,而Intel 14A-E製程技術則是要到2027年。 不過,至今Intel都沒有宣布任何採用Intel 14A和Intel 14A-E製程技術的產品。 雖然,Intel在晶圓代工市場視台積電為競爭對手。 不過,目前來看,其生產的處理器有越來越多的小晶片交由台積電製造生產,其中還包括最為核心的運算晶片情況下,Intel仍持續會保持與台積電既競爭,又合作的關系。 報導指出,Intel在2023年6月的代工模式投資者網絡研討會上,介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變,從2024年第一季開始將設計與製造業務分離,內部設計部門與製造業務部門之間將建立起客戶與供應商的關系,製造業務部門將單獨運營,且財報獨立。 Intel藉此獲得客戶的信賴,希望在2030年之前超越三星,成為晶圓代工領域的第二大廠商。 來源:快科技

14A 1.4nm領銜 Intel代工正式成立:宣布八大全新製造工藝

快科技2月22日美國聖何塞現場報導: Intel CEO帕特·基辛格倡導的IDM 2.0半導體製造與代工模式進入全新階段。 面向AI時代、更具韌性和可持續性的、全球第一個系統級代工服務——“Intel代工”(Intel Foundry),今日正式宣布成立! Intel是當今半導體行業為數不多的同時具備先進晶片設計、製造能力的企業,而為了適應新時代、新形勢、新需求的發展,Intel沒有固守以往的模式,也沒有簡單粗暴地拆分設計與製造,而是提出了全新的IDM 2.0模式。 從此,Intel公司將分為兩大部分,一是負責產品設計的Intel Product,二是負責代工製造的Intel Foundry。 二者是一家人,但又相對獨立,財務單獨核算,彼此互相激勵。 Intel代工將技術開發、製造和供應鏈,以及原來的Intel代工服務整合在一起,平等地向Intel內部和外部客戶提供服務。 一方面,Intel產品設計的晶片,可以使用Intel代工來製造,也可以尋求第三方外部代工,就看誰更好用,誰的性能、能效、成本更佳,這就要求Intel代工必須拿出最好的工藝。 另一方面,Intel代工可以製造Intel自己的產品,也可以為其他晶片設計企業代工,實現更靈活的運營和效益、競爭力的最大化,也要求Intel產品必須拿出最好的晶片。 Intel代工的目標,是在2030年成為全球規模第二的代工廠,僅次於台積電。 這個定位無疑是很理、現實的,但即便定位第二,Intel代工也必須竭盡全力推進位造工藝。 第一步,自然是實現“四年五代節點”的目標。 其中,Intel 7、Intel 4都已量產上市,後者就是剛推出的酷睿Ultra。 Intel 3已經做好了大規模量產的准備,今年上半年開始會陸續用於新一代至強Sierra Forest(首次純E核最多288個)、Granite Rapids(純P核)。 Intel 20A將開啟埃米時代,引入全新的RibbonFET電晶體、PowerVia背部供電。 它在今年內推出,用於新一代消費級酷睿處理器,包括高性能的Arrow Lake、低功耗的Lunar Lake。 Intel 18A正在按計劃推進,首發於下下代至強Clearwater Forest,現已完成流片,2025年登場。 基辛格現場首次展示了Clearwater Forest的樣片,可以看到繼續採用chiplet小晶片設計,並搭配EMID、Foveros Direct封裝技術。 其中兩組CPU模塊都採用Intel 18A,還有兩組IO模塊,而基板則是Intel 3工藝。 按照Intel的一貫說法,18A將讓Intel重新獲得製程工藝的領先性。 7、4、3、20A、18A五代工藝節點晶圓的合影 再往後,Intel的下一代重大工藝節點將是Intel 14A,等效於1.4nm,從路線圖上看大約會在2026年左右推出。 它的最大亮點,就是將在業界首次採用全新的高NA EUV光刻機,不久前剛從ASML接收到。 按照基辛格此前披露的說法,Intel將在德國建設的新晶圓廠極有可能就會引入14A。 與此同時,Intel還將打造不同工藝節點的多個演化版本,一方面滿足不同客戶的不同需求,另一方面深挖節點潛力,實現應用和利益的最大化,台積電和三星也都是這麼乾的。 按照規劃,Intel將每兩年推出一個新的工藝節點,並一路推出各個節點的演化版本。 其中,先進工藝包括14A節點的A14-E,18A節點的18A-P,3節點的3-T、3-E、3-PT。 成熟工藝包括16節點及其16-E,以及12nm、65nm節點。 P代表Performance,也就是提升性能的增強版。 T代表Through Silicon,也就是計入3D堆疊封裝TSV矽通孔技術的升級版。 E代表Extension,也就是功能拓展版本。 16、16-E的來源沒有明確,估計是14nm工藝演化而來,如此的話14nm生命力真是空前強大。 12nm則是來自Intel與聯電的合作產物,面向移動通訊、通信基礎設施、網絡等領域。 此前,Intel和高塔半導體(Tower...