SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功並批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現了業內最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應用了一系列創新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。
同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業記憶體儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產的比特容量也比96層堆疊增加了40％。
雖然包括SK海力士在內多家廠商都研發出了1Tb QLC閃存，但這是TLC閃存第一次達到單顆1Tb。TLC目前占閃存市場規模的超過85％，可靠性和壽命都優於QLC，當然被其取代也是早晚的事。
其他規格方面，新閃存可以在1.2V電壓下實現1400Mbps的數據傳輸率，可用於高性能、低功耗的手機存儲、企業級SSD。
SK海力士的4D NAND閃存技術是去年10月份官宣的，所謂4D是指單芯片四層架構設計，結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，後者是指製造閃存時先形成外圍區域再堆疊晶胞，有助於縮小芯片面積。
利用這種架構設計，SK海力士在從96層堆疊到128層堆疊時，雖然層數增加了三分之一，但是製造工藝步驟減少了5％，整體投資也比之前減少了60％。
SK海力士將在今年下半年批量出貨128層1Tb 4D閃存，並開始一系列相關產品研發：
明年上半年開發下一代UFS 3.1存儲，將1TB大容量手機所需的閃存芯片數量減半，同時封裝厚度控制在1毫米左右，功耗降低20％。
明年上半年量產2TB消費級SSD，自研主控和軟件。
明年發布16TB、32TB NVMe企業級SSD。
SK海力士還透露，正在研發176層堆疊的下一代4D NAND閃存。
來源：cnBeta
