近日，SK海力士在ISSCC 2023會議上公布了在3D NAND快閃記憶體開發方面的最新突破。SK海力士表示，一支由35名工程師組成的團隊為這次演示的材料做出了貢獻，帶來了一款堆疊層數超過300層的新型3D NAND快閃記憶體原型。
據TechPowerup介紹，這是SK海力士第8代3D NAND快閃記憶體，容量為1Tb（128GB），具有三級單元（TLC）和超過20Gb/mm^2的位密度（bit density）。該晶片的頁容量（page size）為16KB，擁有四個planes，接口傳輸速率為2400MT / s，最高吞吐量為194MB/s（相比第7代238層3D NAND快閃記憶體提高了18%）。密度的提升將降低製造過程中每tb的成本，終端消費者最終能從性能和容量的提升中受益。
據SK海力士介紹，第8代3D NAND快閃記憶體主要運用了五個方面的技術，包括引入三重驗編程（TPGM）功能，可縮小電池閾值電壓分布，將tPROG減少10%，從而提高性能；自適應未選字符串預充電（AUSP），另一種將tPROG降低約2%的方法；編程虛擬串（PDS）技術，降低通道電容負載來縮短tPROG和tR的世界線建立時間；平面級讀取重試（PLRR）功能，允許在不終止其他平面的情況下改變平面的讀取級別，從而立即發出後續讀取命令，最終提高了服務質量（QoS）和讀取性能。
SK海力士沒有提供第8代3D NAND快閃記憶體的時間表，有行業人士估計，可能要等到2024年末或2025年某個時候才會上市。與此同時，SK海力士的第7代238層3D NAND快閃記憶體預計將被整合到2023年推出的新款快閃記憶體產品的生產周期里。
來源：超能網
