目前DRAM記憶體的製程處在10nm級工藝，其中第三代10nm級工藝被業界稱為1znm工藝，該工藝節點是當前DRAM記憶體在量產方面的最新節點，三星最早去年三月份首發了1znm工藝的8Gb DDR4 DRAM記憶體，美光隨後在八月份宣布他們的1znm製程也開始量產了，並且是用於16Gb顆粒的生產，現在美光正在積極擴大其1znm DDR4 DRAM生產線。
據DigiTimes報導，有知情人士稱，存儲器製造商美光（Micron）正在對其台灣工廠的1znm DDR4 DRAM生產線進行大量投資。1znm工藝是存儲器行業中最新的節點尺寸，具有更高的密度，更高的效率和更快的速度。
據報導，在這個1znm的生產增長階段，美光專注於生產用於台式機和筆記本電腦的16Gb顆粒的DDR4記憶體產品，生產在台中進行。同時，美光還計劃在其桃園工廠推動1ynm記憶體產品的批量生產，美光在廣島的工廠現在致力於生產用於移動平台的低功耗記憶體產品。 預計該公司還將在1znm節點上生產其大部分早期DDR5產品，不過暫時美光的主要重點仍然是DDR4。
1znm工藝屬於10nm級工藝，但10nm級工藝並不是10nm製程，這是由於20nm節點之後DRAM的工藝升級變得困難，所以DRAM記憶體工藝的線寬指標不再那麼精確，於是有了1xnm、1ynm及1znm之分，簡單來說1xnm工藝相當於16-19nm，1ynm工藝相當於14-16nm，1znm工藝大概是12-14nm級別，而在這之後未來還有1α及1β工藝等待被研發和應用。
來源：超能網
