三星去年末開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，達到了236層，相比於2020年首次引入雙堆棧架構的第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。據DigiTimes報導，三星准備明年開始生產第9代V-NAND技術的產品，將超過300層，繼續沿用雙堆棧架構。
所謂雙堆棧架構，即在300mm晶圓上先生產一個3D NAND快閃記憶體堆棧，然後在原有基礎上再構建另一個堆棧。超過300層的第9代V-NAND技術將提高300mm晶圓生產的存儲密度，使得製造商能夠生產更低成本的固態硬碟，或者讓相同存儲密度及性能的固態硬碟變得更便宜。
此前競爭對手SK海力士在美國聖克拉拉舉行的2023快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND快閃記憶體，成為了業界首家開發300層以上NAND快閃記憶體的公司。SK海力士透露，打算2025年上半年開始生產這款NAND快閃記憶體，採用的是三層堆疊方法。該工藝涉及創建三組不同的3D NAND層，將增加操作步驟和原材料的使用，但其目的是最大限度地提高產量，相比之下更容易生產3D NAND堆棧。
據了解，三星為了保證產量，可能會在第10代V-NAND技術上引入三堆棧架構，層數將達到430層。這意味著會增加原材料的使用量，並增加每個3D NAND晶圓的成本。去年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出的長期願景是，到2030年會將層數提高至1000層。
來源：超能網
