在2021年7月的「英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）公布了「四年五個製程節點」的工藝路線圖，驅動英特爾到2025年乃至更遠的新產品開發。其中第三個製程節點便是Intel 3，憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用，相比Intel 4在每瓦性能上實現約18%的提升，密度上也有10%的改進。
據TomsHardware報導，英特爾已確認，Intel 3工藝已經在兩個工廠進入大批量生產階段，包括美國俄勒岡州和愛爾蘭的工廠，製造最近推出的至強6系列「Sierra Forest」和「Granite Rapids」處理器，主要面向數據中心產品。
英特爾還提供了Intel 3工藝的一些新細節，這是其最後一代採用FinFET電晶體技術的半導體工藝，帶來了更強的性能和更高的電晶體密度，並支持1.2V的超高性能應用電壓。不但針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，未來幾年會不斷發展。
除了基礎版本外，英特爾還提供了Intel-3T、Intel-3E和Intel-3PT三個變體。其中Intel 3T通過TSV支持，可以用作基礎晶片；Intel 3-E將為晶片組和存儲應用提供功能增強；Intel 3-PT進一步提升了性能，並支持9μm間距TSV和混合鍵合，可以說是「終極FinFET工藝」。Intel 3還進入了210nm的高密度（HD）庫，比起240nm高性能（HP）庫的Intel 4工藝在電晶體性能上提供了更多選擇。
此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆棧之間進行選擇：14層著重於成本；18層是性能和成本之間的最佳平衡；21層適用於高性能。
來源：超能網
