台積電（TSMC）的目標是2025年量產其N2工藝，而現階段主要是其他N3工藝的產量和良品率，這被認為是世界上最先進的晶片製造技術之一。隨著英特爾Meteor Lake延期，以及N3工藝的效能未讓蘋果滿意，台積電很可能放棄N3工藝，將重點轉移到明年量產的N3E工藝，這屬於第二版3nm製程。
雖然台積電短期內的工藝推進計劃似乎受到了一些挫折，不過並沒有影響其技術的研發，近期台積電負責研發和技術的高級副總裁YJ Mii博士分享了更多的信息。據Wccftech報導，台積電下一階段將轉向具有更大鏡頭的機器，計劃在2024年引入High-NA EUV光刻機，一般認為會用於2nm晶片的製造上。
據ASML（阿斯麥）的介紹，具有高數值孔徑（High-NA）的新型EUV系統將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵，同時每小時能生產超過200片晶圓。此前英特爾已宣布購買業界首個TWINSCAN EXE:5200系統，計劃從2025年使用High-NA EUV進行生產。
台積電在2024年拿到High-NA EUV光刻機後，初期僅用於研發和協作，期間會按照自己的要求進行調整，適當時候再用於大規模生產。與3nm製程節點不同，2nm製程節點將使用Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體，台積電稱相比3nm工藝會有10%到15%的性能提升，還可以將功耗降低25%到30%。預計N2工藝於2024年末將做好風險生產的准備，並在2025年末進入大批量生產，客戶在2026年就能收到首批晶片。
來源：超能網
